Model de produs

K6T4016U3B-TF85

Introducere

Memorie Statică de Acces Aleatoriu (SRAM) cu Transistor CMOS de înaltă performanță

Brand și fabricant

Samsung Semiconductor

Caracteristici

Memorie SRAM cu consum redus de energie, intrări și ieșiri compatibile cu TTL, apăsare automată a alimentării atunci când este dezactivată

Performanța produsului

Timp rapid de acces, tensiune redusă de retenție a datelor, curent minim de retenție a datelor

Specificațiile tehnice

Organizare 256Kx16bit, interval de alimentare de 2.7V la 3.6V, interval de temperatură de funcționare de -40°C la +85°C

Dimensiuni, formă și empaquetare

Pachet Fin de Deschidere Mic (TSOP1) cu 48 pinuri

Calitate și fiabilitate

Testată pentru durabilitate și stabilitate, conformitate cu standardele calității ale Samsung

Avantaje produsului

Soluție de memorie SRAM de înaltă densitate, consum redus de energie ideal pentru aplicații cu alimentare de baterie

Competitivitatea produsului

Reputația Samsung și expertiza sa tehnologică, prețuri competitive și performanță

Compatibilitate

Compatibilă cu o gamă largă de microprocesoare și procesori de semnal digital

Certificare și conformitate standard

Îndeplinește standardele JEDEC pentru memorii SRAM

Durata de viață și sustenabilitate

Ciclu de viață extins pentru cerințele industriale ale memoriei, conformitate cu standardele de mediu

Domenii reale de aplicare

Telecomunicații, sisteme de calcul, electronica portabilă, electronica automobilistică

K6T4016U3B-TF85 sunt noi și originale în stoc, găsiți stocul de componente electronice K6T4016U3B-TF85, fișa tehnică, inventarul și prețul la Ariat-Tech .com Online, comandați K6T4016U3B-TF85 SAMSUNG cu garanție și încredere de la tehnologia Ariat Limit. Expediți prin DHL / FedEx / UPS. Plata prin transfer bancar sau prin PayPal este OK.
Trimiteți-ne un e-mail: Info@Ariat-Tech.com sau RFQ K6T4016U3B-TF85 Online.