| IPG20N06S4L26AATMA1 | |
|---|---|
| Număr parc | IPG20N06S4L26AATMA1 |
| Producător | Infineon Technologies |
| Descriere | MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON |
| cantitate valabila | 2500 pcs new original in stock. Solicitați stocul și oferta |
| Modelul ECAD | |
| Foi de date | 1.IPG20N06S4L26AATMA1.pdf2.IPG20N06S4L26AATMA1.pdf3.IPG20N06S4L26AATMA1.pdf4.IPG20N06S4L26AATMA1.pdf |
| IPG20N06S4L26AATMA1 Price |
Solicitați prețul și timpul de plată online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Informații tehnice ale IPG20N06S4L26AATMA1 | |||
|---|---|---|---|
| Codul producătorului | IPG20N06S4L26AATMA1 | Categorie | |
| Producător | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | Descriere | MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON |
| Pachet / Caz | PG-TDSON-8-10 | cantitate valabila | 2500 pcs |
| Vgs (a) (Max) @ Id | 2.2V @ 10µA | Tehnologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Pachetul dispozitivului furnizor | PG-TDSON-8-10 | Serie | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26mOhm @ 17A, 10V | Putere - Max | 33W |
| Pachet / Caz | 8-PowerVDFN | Pachet | Tape & Reel (TR) |
| Temperatura de Operare | -55°C ~ 175°C (TJ) | Tipul de montare | Surface Mount, Wettable Flank |
| Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds | 1430pF @ 25V | Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| FET Feature | Logic Level Gate | Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss) | 60V |
| Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C | 20A | configurație | 2 N-Channel (Dual) |
| Numărul produsului de bază | IPG20N | ||
| Descarca | IPG20N06S4L26AATMA1 PDF - EN.pdf | ||
Model de produs
IPG20N06S4L26AATMA1
Introducere
MOSFET dual N-channel de clasă automotive, cu performanțe ridicate
Brand și fabricant
Infineon Technologies (fost International Rectifier)
Caracteristici
MOSFET dual N-channel cu nivel logic de conduită; capacitate ridicată de gestionare a puterii; optimizat pentru aplicații automotive; pachet de putere cu densitate mare; calificare AEC-Q101 pentru fiabilitatea automotive
Performanța produsului
Performanță termică excelentă; robust față de transienți rapizi; rezistență de trecere Rds(on) scăzută; capacitate ridicată de transport de curent
Specificațiile tehnice
Vdss: 60V; Id: 20A continuu la 25°C; Rds On: 26 mOhm la 17A, 10V; Vgs(th): 2.2V la 10A; Qg: 20nC la 10V; Ciss: 1430pF la 25V
Dimensiuni, formă și empaquetare
Pachet PG-TDSON-8-10; montare pe suprafață; bandă și bobină (TR) pentru asamblare automatizată
Calitate și fiabilitate
Conformitate cu standardele AEC-Q101; fără plumb și conform RoHS; operare la temperaturi ridicate până la 175°C
Avantaje produsului
Pierderi de conducție reduse; pierderi de comutare reduse; capacități ridicate de frecvență de comutare
Competitivitatea produsului
Competitiv în industria automotive pentru fiabilitate ridicată; adecvat pentru condiții de mediu dure
Compatibilitate
Compatibil cu procese standard de montare pe suprafață; compatibil cu conducerea de nivel logic
Certificare și conformitate standard
Calificat AEC-Q101; conform RoHS
Durata de viață și sustenabilitate
Evaluat pentru o viață operațională extinsă în condiții automotive; proiectat pentru performanță energetică eficientă
Domenii reale de aplicare
Sisteme automotive, inclusiv controlul grupului motopropulsor și al șasiului; unități de alimentare cu putere de înaltă eficiență; sisteme de gestionare a energiei; aplicații industriale care necesită MOSFET-uri de înaltă densitate de putere, fiabile
Trimiteți-ne un e-mail: Info@Ariat-Tech.com sau RFQ IPG20N06S4L26AATMA1 Online.
| IPG20N06S4L26AATMA1 Stoc | Prețul IPG20N06S4L26AATMA1 | IPG20N06S4L26AATMA1 Electronics |
| Componente IPG20N06S4L26AATMA1 | Inventarul IPG20N06S4L26AATMA1 | IPG20N06S4L26AATMA1 Digikey |
| Furnizor IPG20N06S4L26AATMA1 | Comandați IPG20N06S4L26AATMA1 Online | Anchetă IPG20N06S4L26AATMA1 |
| Imagine IPG20N06S4L26AATMA1 | Imagine IPG20N06S4L26AATMA1 | IPG20N06S4L26AATMA1 PDF |
| Fișa tehnică IPG20N06S4L26AATMA1 | Descărcați fișa tehnică IPG20N06S4L26AATMA1 | Producător Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
