| IPD048N06L3G | |
|---|---|
| Număr parc | IPD048N06L3G |
| Producător | infineon |
| Descriere | IPD048N06L3G infineon |
| cantitate valabila | 5200 pcs new original in stock. Solicitați stocul și oferta |
| Modelul ECAD | |
| Foi de date | |
| IPD048N06L3G Price |
Solicitați prețul și timpul de plată online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Informații tehnice ale IPD048N06L3G | |||
|---|---|---|---|
| Codul producătorului | IPD048N06L3G | Categorie | Circuite integrate (IC) |
| Producător | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | Descriere | IPD048N06L3G infineon |
| Pachet / Caz | TO-252 | cantitate valabila | 5200 pcs |
| Pachet | TO-252 | condtion | New Original Stock |
| garanţie | 100% Perfect Functions | Perioada de grație | 2-3days after payment. |
| Plată | PayPal / Telegraphic Transfer / Western Union | Transportul de la | DHL / Fedex / UPS |
| Port | HongKong | RFQ e-mail | |
| Descarca | IPD048N06L3G PDF - EN.pdf | ||
Model de produs
IPD048N06L3G
Introducere
MOSFET de putere cu canal N
Brand și fabricant
Infineon Technologies
Caracteristici
Canal N pentru comutare eficientă
RDS(on) scăzut pentru eficiență ridicată
Capacitate mare de transport a curentului
Viteză rapidă de comutare
Încărcare de porți redusă
Rezistență la avalanșă
Performanța produsului
Performanță termică robustă
Densitate de putere îmbunătățită
Optimizat pentru aplicații de înaltă performanță
Funcționare stabilă într-un interval extins de temperatură
Specificațiile tehnice
Tensiune Drain-to-Source (Vds): 60V
Curent continuu de drain (Id): 90A
Disiparea puterii (Pd): 290W
RDS(on): 4.8 mOhm la Vgs 10V
Dimensiuni, formă și empaquetare
Pachet TO-252 (DPAK)
Design compact pentru montare pe suprafață
Calitate și fiabilitate
Conform cu standardele JEDEC
Testat pentru fiabilitate ridicată și asigurarea calității
Avantaje produsului
Eficiență energetică ridicată
Pierderi de conducție reduse
Conversie a puterii îmbunătățită
Competitivitatea produsului
Competitiv în aplicații de putere mare
Performanță superioară în clasa sa
Cost-eficient pentru proiecte sensibile la buget
Compatibilitate
Compatibil cu diverse tensiuni de conducere a porților
Potrivit pentru aplicații de frecvență înaltă
Certificare și conformitate standard
Conform cu reglementările RoHS
Calificat conform JEDEC pentru aplicațiile țintă
Durata de viață și sustenabilitate
Durată lungă de operare
Proiectat pentru un impact ecologic minim
Domenii reale de aplicare
Aplicații de gestionare a energiei
Convertizoare DC/DC
Rectificare sincronică
Acționări de motoare
Surse de alimentare cu comutare (SMPS)
Trimiteți-ne un e-mail: Info@Ariat-Tech.com sau RFQ IPD048N06L3G Online.
| IPD048N06L3G Stoc | Prețul IPD048N06L3G | IPD048N06L3G Electronics | |||
| Componente IPD048N06L3G | Inventarul IPD048N06L3G | IPD048N06L3G Digikey | |||
| Furnizor IPD048N06L3G | Comandați IPD048N06L3G Online | Anchetă IPD048N06L3G | |||
| Imagine IPD048N06L3G | Imagine IPD048N06L3G | IPD048N06L3G PDF | |||
| Fișa tehnică IPD048N06L3G | Descărcați fișa tehnică IPD048N06L3G | Producător Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | |||
| Părțile asociate pentru IPD048N06L3G | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Imagine | Număr parc | Descriere | Producător | Obțineți o ofertă | |
 |
IPD048N06L3GBTMA1 | MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 | Infineon Technologies | ||
 |
IPD048N06L3G 048N06L | INFINEON TO-252 | INFINEON | ||
|
IPD04N03LAG | IPD04N03LAG INFINEON | INFINEON | ||
|
IPD04N03LB G | MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3 | Infineon Technologies | ||
|
IPD048N06L3 | INFINEON | |||
 |
IPD04N03L | IPD04N03L VB | VB | ||
|
IPD048N06L3GATMA1 | MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 | Infineon Technologies | ||
|
IPD042P03L3G | IPD042P03L3G infineon | infineon | ||
|
IPD042P03L3GATMA1 | MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3 | Infineon Technologies | ||
|
IPD046N08N5ATMA1 | MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3 | Infineon Technologies | ||
|
IPD04N03LB | IPD04N03LB infineon/ | infineon/ | ||
|
IPD042P03L3G MOS | INFINEON TO-252 | INFINEON | ||
|
IPD048N06L3G MOS | INFINEON TO-252 | INFINEON | ||
|
IPD04N03LA G | MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3 | Infineon Technologies | ||
|
IPD042P03L3G IC | INFINEON TO-252 | INFINEON | ||
|
IPD042P03L3 G | IPD042P03L3 G VB | VB | ||
|
IPD042P03L3 G MOS | VBSEMI TO-252 | VBSEMI | ||
|
IPD04N03LA | IPD04N03LA infineon/ | infineon/ | ||
|
IPD048N06L3 G | IPD048N06L3 G VB | VB | ||
|
IPD042P03L3GBTMA1 | MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3 | Infineon Technologies | ||
Știri
Mai Mult
Polarfire® SOC FPGA de la Microchip a primit certificarea AEC -Q100, confirmându -și fiabilitatea în condiții dure auto, inclusiv funcționarea d...
PSOCTM 4000T este primul produs al Infineon care prezintă tehnologia CapSense ™ a companiei CapSense ™ și funcționalitatea cu mai multe sensuri.A...
Un executiv al furnizorului de piese auto a dezvăluit că dezvoltarea EV pe piața nord -americană s -a oprit, deoarece producătorii auto aleg să ...
Infineon și Etron își extind colaborarea sistemului de gestionare a bateriilor AI (BMS) la electronica industrială și de consum.Pe baza microcont...
Pe semiconductor a anunțat recent lansarea primului său senzor în timp real, indirect de zbor (ITOF), seria ID Hyperlux, care poate efectua măsura...
Produse noi
Mai Mult
Seria fotoelectrică Seria PD30 Senzorii fotoelectrici miniaturali ai Carlo Gavazzi sunt de înaltă...
Setul de evaluare XC112 / XR112 pentru radarul Coherent puls A111Dispozitivul de evaluare al XC112 și XR112 de la Acconeer cu cabluri flexibile plate...
Seria servomotoare MINAS din seria A6 și motoare Familia MINAS A6 a familiei Panasonic asigură o f...
UV LED Board Board Placa de bord LED RayVio pentru serii XE și XP1 de emițătoare UV-C Placa de ...
DDR SDRAM de testare industrială și extinsă Dispozitivele DDR SDRAM de la Insignis garantează fu...
E-mail: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966ADĂUGA: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hong Kong.
Notificare privind drepturile de autor © 1996-2025 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Toate drepturile rezervate.