SIZ980DT-T1-GE3 | |
---|---|
Număr parc | SIZ980DT-T1-GE3 |
Producător | Vishay Siliconix |
Descriere | MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR |
cantitate valabila | 2987 pcs new original in stock. Solicitați stocul și oferta |
Modelul ECAD | |
Foi de date | 1.SIZ980DT-T1-GE3.pdf2.SIZ980DT-T1-GE3.pdf3.SIZ980DT-T1-GE3.pdf4.SIZ980DT-T1-GE3.pdf |
SIZ980DT-T1-GE3 Price |
Solicitați prețul și timpul de plată online or Email us: Info@ariat-tech.com |
Informații tehnice ale SIZ980DT-T1-GE3 | |||
---|---|---|---|
Codul producătorului | SIZ980DT-T1-GE3 | Categorie | |
Producător | Electro-Films (EFI) / Vishay | Descriere | MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR |
Pachet / Caz | 8-PowerPair® (6x5) | cantitate valabila | 2987 pcs |
Vgs (a) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA | Tehnologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Pachetul dispozitivului furnizor | 8-PowerPair® (6x5) | Serie | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.7mOhm @ 15A, 10V, 1.6mOhm @ 19A, 10V | Putere - Max | 20W, 66W |
Pachet / Caz | 8-PowerWDFN | Pachet | Tape & Reel (TR) |
Temperatura de Operare | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipul de montare | Surface Mount |
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds | 930pF @ 15V, 4600pF @ 15V | Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs | 8.1nC @ 4.5V, 35nC @ 4.5V |
FET Feature | - | Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss) | 30V |
Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C | 20A (Tc), 60A (Tc) | configurație | 2 N-Channel (Dual), Schottky |
Numărul produsului de bază | SIZ980 | ||
Descarca | SIZ980DT-T1-GE3 PDF - EN.pdf |
SIZ980DT-T1-GE3
Array de MOSFET Schottky dual N-channel de 30V
Electro-Films (EFI) / Vishay
Configurație duală MOSFET N-channel, diode Schottky, caracteristici standard FET, curent de drenaj continuu ridicat
Rezistență de contact redusă în condiții diferite, tensiune mare de drenaj la sursă, interval extins de temperatură de funcționare, montabil pe suprafață, capacitate mare de gestionare a puterii
Tensiune de drenaj la sursă de 30V, 20A, 60A curent de drenaj continuu la 25°C, 6.7 mOhm, 1.6 mOhm Rds On maxim, 2.2V tensiune maximă de prag pentru ușă, 8.1nC, 35nC sarcină maximă pentru ușă, 930pF, 4600pF capacitate de intrare
Pachet 8-PowerWDFN, ambalare Cut Tape (CT), pachet dispozitiv furnizor 8-PowerPair
Nivel de sensibilitate la umiditate 1
Eficient din punct de vedere energetic, amprenta minimă pentru aplicații de densitate mare
Proiectat pentru procese de asamblare automate
Completează regulatoarele de comutare și circuitele de gestionare a energiei
Îndeplinește certificările industriale standard
Durabil, cu durata de viață extinsă
Circuite de alimentare cu energie, convertoare DC/DC, sisteme de control pentru motoare
SIZ980DT-T1-GE3 Stoc | Prețul SIZ980DT-T1-GE3 | SIZ980DT-T1-GE3 Electronics | |||
Componente SIZ980DT-T1-GE3 | Inventarul SIZ980DT-T1-GE3 | SIZ980DT-T1-GE3 Digikey | |||
Furnizor SIZ980DT-T1-GE3 | Comandați SIZ980DT-T1-GE3 Online | Anchetă SIZ980DT-T1-GE3 | |||
Imagine SIZ980DT-T1-GE3 | Imagine SIZ980DT-T1-GE3 | SIZ980DT-T1-GE3 PDF | |||
Fișa tehnică SIZ980DT-T1-GE3 | Descărcați fișa tehnică SIZ980DT-T1-GE3 | Producător Electro-Films (EFI) / Vishay |
Părțile asociate pentru SIZ980DT-T1-GE3 | |||||
---|---|---|---|---|---|
Imagine | Număr parc | Descriere | Producător | Obțineți o ofertă | |
![]() |
Size 675 | BATTERY ZINC 1.45V COIN 11.6MM | Micropower Battery Company | ||
![]() |
SIZ920DT-T1-GE3 | MOSFET 2N-CH 30V 40A PWRPAIR | Vishay Siliconix | ||
![]() |
SIZB60-4072 | SHINDENGE SOP-4 | SHINDENGE | ||
![]() |
SIZB60 | TOSHIBA SMT-4 | TOSHIBA | ||
![]() |
SIZ918DT-T1-GE3 | MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR | Vishay Siliconix | ||
![]() |
SIZB60-4102 | N/A SOP-4P | N/A | ||
![]() |
SIZF300DT-T1-GE3 | MOSFET DUAL N-CHAN 30V PPAIR 3X3 | Vishay Siliconix | ||
![]() |
SIZB20 | SOT-143 01+ | |||
![]() |
SIZ918DT-T1-GE3 | MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
![]() |
SIZ916DT-T1-GE3 MOS | VISHAY PowerPAIR-6x5-8 | VISHAY | ||
![]() |
SIZ988DT-T1-GE3 | MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR | Vishay Siliconix | ||
![]() |
SIZ920DP-T1-GE3 | VISHAY DFN56 | VISHAY | ||
![]() |
SIZ926DT-T1-GE3 | MOSFET 2 N-CH 25V 8-POWERPAIR | Vishay Siliconix | ||
![]() |
SIZ980BDT-T1-GE3 | MOSFET DUAL N-CH 30V PPAIR 6 X 5 | Vishay Siliconix | ||
![]() |
SIZ920DT-T1-GE3 | MOSFET 2N-CH 30V 40A PWRPAIR | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
![]() |
SIZ920DT-T1-GE3 IC | VISHAY QFN8 | VISHAY | ||
![]() |
SIZ998DT-T1-GE3 IC | VISHAY QFN-8 | VISHAY | ||
![]() |
SIZ998DT-T1-GE3 | MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR | Vishay Siliconix | ||
![]() |
SIZ998BDT-T1-GE3 | DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET | Vishay Siliconix | ||
![]() |
SIZ916DT-T1-GE3 IC | VISHAY QFN-8 | VISHAY |
Știri
Mai MultPolarfire® SOC FPGA de la Microchip a primit certificarea AEC -Q100, confirmându -și fiabilitatea în condiții dure auto, inclusiv funcționarea d...
PSOCTM 4000T este primul produs al Infineon care prezintă tehnologia CapSense ™ a companiei CapSense ™ și funcționalitatea cu mai multe sensuri.A...
Un executiv al furnizorului de piese auto a dezvăluit că dezvoltarea EV pe piața nord -americană s -a oprit, deoarece producătorii auto aleg să ...
Infineon și Etron își extind colaborarea sistemului de gestionare a bateriilor AI (BMS) la electronica industrială și de consum.Pe baza microcont...
Pe semiconductor a anunțat recent lansarea primului său senzor în timp real, indirect de zbor (ITOF), seria ID Hyperlux, care poate efectua măsura...
Produse noi
Mai MultModule Bluetooth® Xpress și platformă de dezvoltareSilicon Labs 'Blue Gecko Xpress BGX13 este un modul wireless Xpress special conceput pentru a fa...
EFR32 ™ Flex Gecko Sub-GHz și 2,4 GHz pachete de pornire wireless Aparatul wireless EFR32 Flex Gec...
Kitul de dezvoltare Wi-Fi pentru modulul Zentri AMW007-E03 Kitul de dezvoltare AMW007 de la Silicon ...
Si3404 și Si3406x Chips-uri de alimentare cu alimentare prin Ethernet (PoE) Silicon Labs "Si3404 ș...
Si86xx Digital Isolators Family Izolatele digitale de la Silicon Labs oferă suport pentru o clasifi...
E-mail: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966ADĂUGA: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hong Kong.