| SIS780DN-T1-GE3 | |
|---|---|
| Număr parc | SIS780DN-T1-GE3 |
| Producător | Vishay Siliconix |
| Descriere | MOSFET N-CH 30V 18A PPAK1212-8 |
| cantitate valabila | 18870 pcs new original in stock. Solicitați stocul și oferta |
| Modelul ECAD | |
| Foi de date | 1.SIS780DN-T1-GE3.pdf2.SIS780DN-T1-GE3.pdf |
| SIS780DN-T1-GE3 Price |
Solicitați prețul și timpul de plată online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Informații tehnice ale SIS780DN-T1-GE3 | |||
|---|---|---|---|
| Codul producătorului | SIS780DN-T1-GE3 | Categorie | |
| Producător | Electro-Films (EFI) / Vishay | Descriere | MOSFET N-CH 30V 18A PPAK1212-8 |
| Pachet / Caz | PowerPAK® 1212-8 | cantitate valabila | 18870 pcs |
| Vgs (a) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tehnologie | MOSFET (Metal Oxide) | Pachetul dispozitivului furnizor | PowerPAK® 1212-8 |
| Serie | - | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.5mOhm @ 15A, 10V |
| Distrugerea puterii (Max) | 27.7W (Tc) | Pachet / Caz | PowerPAK® 1212-8 |
| Pachet | Tape & Reel (TR) | Temperatura de Operare | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipul de montare | Surface Mount | Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds | 722 pF @ 15 V |
| Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs | 24.5 nC @ 10 V | Tipul FET | N-Channel |
| FET Feature | Schottky Diode (Body) | Tensiunea de transmisie (valorile max. | 4.5V, 10V |
| Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss) | 30 V | Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C | 18A (Tc) |
| Numărul produsului de bază | SIS780 | ||
| Descarca | SIS780DN-T1-GE3 PDF - EN.pdf | ||
Model de produs
SIS780DN-T1-GE3
Introducere
MOSFET N-Channel 30V 18A cu diodă Schottky
Brand și fabricant
Electro-Films (EFI) / Vishay
Caracteristici
MOSFET N-Channel
Diodă Schottky integrată
Tehnologie de montare pe suprafață
Performanța produsului
Interval de temperatură de funcționare de la -55°C la 150°C
Disipare maximă a puterii de 27.7W
Curent de drenaj continuu de 18A la 25°C
Rds (On) scăzut de 13.5 mOhm la 15A și 10V
Specificațiile tehnice
Tensiune Drenaj-Sursă (Vdss): 30V
Tensiune Poartă-Sursă (Vgs Max): ±20V
Sarcină pe poartă (Qg): 24.5nC la 10V
Capacitance de intrare (Ciss): 722pF la 15V
Tensiune de pilotare: 4.5V la 10V
Dimensiuni, formă și empaquetare
Pachet PowerPAK 1212-8
Furnizat în bandă și bobină (Tape & Reel) pentru asamblare automată
Calitate și fiabilitate
Nivel de sensibilitate la umiditate (MSL) 1, indicând viață nelimitată pe podea la ≤30°C / 85% RH
Avantaje produsului
Eficiență ridicată datorită Rds (On) scăzut
Performanță termică robustă pentru o fiabilitate îmbunătățită
Competitivitatea produsului
Competitiv în gestionarea puterii și eficiență
Potrivit pentru aplicații de putere de înaltă densitate
Compatibilitate
Compatibil cu procese standard de montare pe suprafață
Certificare și conformitate standard
Conform standardelor internaționale aplicabile pentru componente electronice
Durata de viață și sustenabilitate
Construcție durabilă proiectată pentru fiabilitate pe termen lung
Domenii reale de aplicare
Aplicații de gestionare a puterii
Convertoare DC/DC
Regulatoare de comutare
Trimiteți-ne un e-mail: Info@Ariat-Tech.com sau RFQ SIS780DN-T1-GE3 Online.
| SIS780DN-T1-GE3 Stoc | Prețul SIS780DN-T1-GE3 | SIS780DN-T1-GE3 Electronics | |||
| Componente SIS780DN-T1-GE3 | Inventarul SIS780DN-T1-GE3 | SIS780DN-T1-GE3 Digikey | |||
| Furnizor SIS780DN-T1-GE3 | Comandați SIS780DN-T1-GE3 Online | Anchetă SIS780DN-T1-GE3 | |||
| Imagine SIS780DN-T1-GE3 | Imagine SIS780DN-T1-GE3 | SIS780DN-T1-GE3 PDF | |||
| Fișa tehnică SIS780DN-T1-GE3 | Descărcați fișa tehnică SIS780DN-T1-GE3 | Producător Electro-Films (EFI) / Vishay | |||
| Părțile asociate pentru SIS780DN-T1-GE3 | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Imagine | Număr parc | Descriere | Producător | Obțineți o ofertă | |
 |
SIS8132 | SIS QFP | SIS | ||
 |
SIS778DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8 | Vishay Siliconix | ||
|
SIS756 | SIS | |||
|
SIS776DN | SIS776DN VB | VB | ||
|
SIS8205AHC | SIS8205AHC SIAI | SIAI | ||
|
SIS760LV | SIS | |||
|
SIS780DN | SIS780DN SI | SI | ||
|
SIS761GXA | SIS | |||
|
SIS8205G | SIAI SOT23-6 | SIAI | ||
|
SIS760 | SIS | |||
|
SiS822DNT-T1-GE3 MOS | CCSEMI DFN3X3-8T | CCSEMI | ||
 |
SIS75-30-TG-N5 | NATURAL GAS HEATER INFRARED VACU | SunStar | ||
|
SIS8205 | SIAI | |||
|
SIS776DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8 | Vishay Siliconix | ||
|
SIS782DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8 | Vishay Siliconix | ||
|
SIS780DN-T1-GE3 MOS | VBSEMI QFN8 | VBSEMI | ||
|
SIS822DNT-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8 | Vishay Siliconix | ||
|
SIS8208 | SIAI | |||
|
SIS776DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SIS8205A | SIAI | |||
Știri
Mai Mult
Polarfire® SOC FPGA de la Microchip a primit certificarea AEC -Q100, confirmându -și fiabilitatea în condiții dure auto, inclusiv funcționarea d...
PSOCTM 4000T este primul produs al Infineon care prezintă tehnologia CapSense ™ a companiei CapSense ™ și funcționalitatea cu mai multe sensuri.A...
Un executiv al furnizorului de piese auto a dezvăluit că dezvoltarea EV pe piața nord -americană s -a oprit, deoarece producătorii auto aleg să ...
Infineon și Etron își extind colaborarea sistemului de gestionare a bateriilor AI (BMS) la electronica industrială și de consum.Pe baza microcont...
Pe semiconductor a anunțat recent lansarea primului său senzor în timp real, indirect de zbor (ITOF), seria ID Hyperlux, care poate efectua măsura...
Produse noi
Mai Mult
Module Bluetooth® Xpress și platformă de dezvoltareSilicon Labs 'Blue Gecko Xpress BGX13 este un modul wireless Xpress special conceput pentru a fa...
EFR32 ™ Flex Gecko Sub-GHz și 2,4 GHz pachete de pornire wireless Aparatul wireless EFR32 Flex Gec...
Kitul de dezvoltare Wi-Fi pentru modulul Zentri AMW007-E03 Kitul de dezvoltare AMW007 de la Silicon ...
Si3404 și Si3406x Chips-uri de alimentare cu alimentare prin Ethernet (PoE) Silicon Labs "Si3404 ș...
Si86xx Digital Isolators Family Izolatele digitale de la Silicon Labs oferă suport pentru o clasifi...
E-mail: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966ADĂUGA: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hong Kong.
Notificare privind drepturile de autor © 1996-2025 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Toate drepturile rezervate.