| CSD16570Q5B | |
|---|---|
| Număr parc | CSD16570Q5B |
| Producător | N/A |
| Descriere | MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON |
| cantitate valabila | 3500 pcs new original in stock. Solicitați stocul și oferta |
| Modelul ECAD | |
| Foi de date | CSD16570Q5B.pdf |
| CSD16570Q5B Price |
Solicitați prețul și timpul de plată online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Informații tehnice ale CSD16570Q5B | |||
|---|---|---|---|
| Codul producătorului | CSD16570Q5B | Categorie | |
| Producător | N/A | Descriere | MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON |
| Pachet / Caz | 8-VSON-CLIP (5x6) | cantitate valabila | 3500 pcs |
| Vgs (a) (Max) @ Id | 1.9V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tehnologie | MOSFET (Metal Oxide) | Pachetul dispozitivului furnizor | 8-VSON-CLIP (5x6) |
| Serie | NexFET™ | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.59mOhm @ 50A, 10V |
| Distrugerea puterii (Max) | 3.2W (Ta), 195W (Tc) | Pachet / Caz | 8-PowerTDFN |
| Pachet | Tape & Reel (TR) | Temperatura de Operare | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipul de montare | Surface Mount | Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds | 14000 pF @ 12 V |
| Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs | 250 nC @ 10 V | Tipul FET | N-Channel |
| FET Feature | - | Tensiunea de transmisie (valorile max. | 4.5V, 10V |
| Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss) | 25 V | Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C | 100A (Ta) |
| Numărul produsului de bază | CSD16570 | ||
| Descarca | CSD16570Q5B PDF - EN.pdf | ||
Model de produs
CSD16570Q5B
Introducere
MOSFET de înaltă performanță N-Channel
Brand și fabricant
Luminary Micro / Texas Instruments
Caracteristici
MOSFET N-Channel
Curent continuu de drenaj ridicat
Rezistență de contact scăzută
Disipare de putere ridicată
Eficiență energetică îmbunătățită
Tehnologie de montare pe suprafață
Performanța produsului
Conversie eficientă a puterii
Performanță termică excelentă
Funcționare stabilă pe o gamă largă de temperaturi
Specificațiile tehnice
Tehnologia semiconductorilor pe bază de oxid metalic
Tensiune de drenaj la sursă: 25V
Curent continuu de drenaj: 100A
Rezistență de contact: 0.59 mOhm
Încărcare pe poartă: 250nC
Dimensiuni, formă și empaquetare
Pachet 8-PowerTDFN
Pachetul dispozitivului furnizor: 8-VSON-CLIP (5x6)
Ambalare: Bandă tăiată (CT)
Calitate și fiabilitate
Nivel de sensibilitate la umiditate (MSL) 1
Durabilitate ridicată
Avantaje produsului
Optimizat pentru managementul energiei cu eficiență ridicată
Competitivitatea produsului
Capacitate mare de gestionare a curentului
Rezistență de contact competitivă
Compatibilitate
Compatibil cu procesele standard de montare pe suprafață
Certificare și conformitate standard
Conform cu RoHS
Conține plumb
Durata de viață și sustenabilitate
Proiectat pentru performanță pe termen lung
Domenii reale de aplicare
Managementul energiei
Conversie DC/DC
Controlul motoarelor
Comutarea sarcinilor
Surse de alimentare
Trimiteți-ne un e-mail: Info@Ariat-Tech.com sau RFQ CSD16570Q5B Online.
| CSD16570Q5B Stoc | Prețul CSD16570Q5B | CSD16570Q5B Electronics | |||
| Componente CSD16570Q5B | Inventarul CSD16570Q5B | CSD16570Q5B Digikey | |||
| Furnizor CSD16570Q5B | Comandați CSD16570Q5B Online | Anchetă CSD16570Q5B | |||
| Imagine CSD16570Q5B | Imagine CSD16570Q5B | CSD16570Q5B PDF | |||
| Fișa tehnică CSD16570Q5B | Descărcați fișa tehnică CSD16570Q5B | Producător | |||
| Părțile asociate pentru CSD16570Q5B | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Imagine | Număr parc | Descriere | Producător | Obțineți o ofertă | |
 |
CSD16570Q5B MOS | TI QFN8 | N/A | ||
 |
CSD172NPSA1 | MODULE GATE DRIVER | Infineon Technologies | ||
|
CSD16570Q5BT | MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON | N/A | ||
|
CSD16415 | TI QFN | N/A | ||
|
CSD16415Q5 | MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON | N/A | ||
|
CSD16412Q5A | MOSFET N-CH 25V 14A/52A 8VSON | N/A | ||
|
CSD16570Q5BT | MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON | N/A | ||
|
CSD17301Q5A | MOSFET N-CH 30V 28A/100A 8VSON | N/A | ||
|
CSD16413Q5A IC | TI VSON-8 | N/A | ||
|
CSD17302Q5A IC | TI QFN8 | N/A | ||
|
CSD17301 | TI QFN | N/A | ||
|
CSD16414Q5A | N/A | |||
|
CSD16414Q5 | MOSFET N-CH 25V 34A/100A 8VSON | N/A | ||
|
CSD16556Q5B | MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON | N/A | ||
|
CSD16415Q5T | MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON | N/A | ||
|
CSD16413Q5A | MOSFET N-CH 25V 24A/100A 8VSON | N/A | ||
|
CSD17301Q5A MOS | VBSEMI TDSON8 | VBSEMI | ||
|
CSD17303Q5 | MOSFET N-CH 30V 32A/100A 8VSON | N/A | ||
|
CSD16556Q5B MOS | TI BGA | N/A | ||
|
CSD17302Q5A | MOSFET N-CH 30V 16A/87A 8VSON | N/A | ||
Știri
Mai Mult
Polarfire® SOC FPGA de la Microchip a primit certificarea AEC -Q100, confirmându -și fiabilitatea în condiții dure auto, inclusiv funcționarea d...
PSOCTM 4000T este primul produs al Infineon care prezintă tehnologia CapSense ™ a companiei CapSense ™ și funcționalitatea cu mai multe sensuri.A...
Un executiv al furnizorului de piese auto a dezvăluit că dezvoltarea EV pe piața nord -americană s -a oprit, deoarece producătorii auto aleg să ...
Infineon și Etron își extind colaborarea sistemului de gestionare a bateriilor AI (BMS) la electronica industrială și de consum.Pe baza microcont...
Pe semiconductor a anunțat recent lansarea primului său senzor în timp real, indirect de zbor (ITOF), seria ID Hyperlux, care poate efectua măsura...
Produse noi
Mai Mult
Seria fotoelectrică Seria PD30 Senzorii fotoelectrici miniaturali ai Carlo Gavazzi sunt de înaltă...
Setul de evaluare XC112 / XR112 pentru radarul Coherent puls A111Dispozitivul de evaluare al XC112 și XR112 de la Acconeer cu cabluri flexibile plate...
Seria servomotoare MINAS din seria A6 și motoare Familia MINAS A6 a familiei Panasonic asigură o f...
UV LED Board Board Placa de bord LED RayVio pentru serii XE și XP1 de emițătoare UV-C Placa de ...
DDR SDRAM de testare industrială și extinsă Dispozitivele DDR SDRAM de la Insignis garantează fu...
E-mail: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966ADĂUGA: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hong Kong.
Notificare privind drepturile de autor © 1996-2025 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Toate drepturile rezervate.