FF200R06KE3 Fisa de date, funcții și aplicații industriale
2025-04-03 172

FF200R06KE3 de Infineon Technologies este o componentă puternică utilizată în gestionarea eficientă a nevoilor de energie mare.Acest modul este ambalat într -o dimensiune mică, dar oferă performanțe ridicate cu tehnologie avansată IGBT și caracteristici speciale pentru o eficiență mai bună.Acest articol explică caracteristicile cheie, designul și beneficiile modulului, subliniind rolul său în diverse aplicații.

Catalog

FF200R06KE3 Prezentare generală

FF200R06KE3, realizată de Infineon Technologies, este un modul de tranzistor bipolar de poartă duală izolată (IGBT) care iese în evidență cu specificațiile sale de 600 V, 200 A.Încadrat într -un pachet compact de 62 mm, combină tehnologia TrenchStop ™ IGBT3 cu o diodă controlată cu 3 emițător.Această integrare sporește atât eficiența, cât și performanța, ceea ce o face o alegere de top pentru aplicațiile care necesită o gestionare robustă a puterii.

Pentru cei care doresc să plaseze comenzi în vrac, FF200R06KE3 oferă o soluție fiabilă și performantă pentru a răspunde nevoilor dvs.

Caracteristici FF200R06KE3

• Tensiune și evaluări de curent: Capabil să gestioneze până la 600 V și 200 A, ceea ce îl face potrivit pentru aplicații de mare putere.

• Tehnologie avansată: Utilizează TrenchStop ™ IGBT3 și emițător controlat 3 tehnologii de diodă pentru caracteristici de comutare optimizate, incluzând o moale îmbunătățită și pierderi de comutare reduse.

• Temperatură ridicată de funcționare: Proiectat pentru a funcționa la temperaturi de până la 150 ° C, asigurând fiabilitatea în condiții solicitante.

• Stil de montare: Dispune de un design de montare cu șurub pentru o instalare sigură și simplă.

• Certificare UL/CSA: Certificat în conformitate cu UL1557 E83336, îndeplinind standardele stricte de siguranță și performanță.

• Respectarea ROHS: Respectă Restricția Directivei privind substanțele periculoase, reflectând designul său ecologic.

Specificații FF200R06KE3

Valori nominale maxime

Valori caracteristice

FF200R06KE3 Diagrama circuitului

Diagrama circuitului arată structura internă a modulului IGBT FF200R06KE3.Dispune de două tranzistoare IGBT conectate într-o configurație cu jumătate de pondere, care este obișnuită pentru comutarea aplicațiilor, cum ar fi invertoarele și unitățile de motor.Terminalele 1 și 3 sunt colecționarii fiecărui IGBT, în timp ce terminalele 2 și 4 sunt emițătorii.Fiecare IGBT este asociat cu o diodă anti-paralelă, permițând curentului să curgă în direcția opusă în timpul comutării.Terminalele 5 și 6 reprezintă controalele de poartă pentru IGBTS, iar Terminalul 7 este o conexiune emițător partajată.Acest aspect acceptă comutarea eficientă și o recuperare inversă fiabilă prin diodele încorporate.Este conceput pentru a gestiona curenți mari și tensiune cu pierderi reduse de energie.FF200R06KE3 este o soluție practică pentru sistemele care au nevoie de comutare stabilă și performantă.

FF200R06KE3 Alternative

• AMFF200R06KE3

• FF200R12KE3

• FF300R06KE3

• FF200R06KE3HOSA1

• FF200R06KE3-B2

FF200R06KE3 Aplicații

Unități de invertor controlate de frecvență

Caracteristicile de comutare optimizate ale modulului, cum ar fi pierderile de comutare reduse și moliciunea îmbunătățită, îmbunătățesc performanța și eficiența sistemelor invertoare.​

Unități auto industriale

Capabil să gestioneze curenți și tensiuni mari, FF200R06KE3 este potrivit pentru controlul motoarelor industriale mari, oferind o funcționare motorie fiabilă și precisă.

Surse de alimentare

Capacitățile de manipulare a energiei ridicate ale modulului îl fac ideal pentru utilizarea unităților de alimentare cu energie electrică care necesită o conversie și gestionare eficientă a energiei.

Sisteme de energie regenerabilă

În aplicații precum conversia energiei solare și eoliene, FF200R06KE3 poate fi utilizat pentru a gestiona transferul eficient și conversia energiei din surse regenerabile.

FF200R06KE3 Conturul pachetului

Diagrama de ambalare a FF200R06KE3 prezintă un aspect mecanic detaliat al modulului.Folosește o carcasă standard de 62 mm, măsurând 106,4 mm lungime și 62 mm lățime.Modulul are trei terminale principale pentru conexiuni de putere, fiecare distanțat uniform la 28 mm distanță, cu găuri de montare pe ambele capete pentru o instalare sigură.Înălțimea carcasei este de aproximativ 30 mm, inclusiv pinii terminali.Include un conector de control cu ​​7 pini (DIN46244-A2.8-0.5-BZ) pe partea laterală pentru controlul semnalului de poartă și emițător.Desenul specifică, de asemenea, adâncimi de montare (minim 7 mm, maxim 10 mm) și toleranțe conform standardelor ISO2768.Acest contur standardizat vă ajută să integrați cu ușurință modulul în proiectele dvs. cu montare și cablare precisă.

FF200R06KE3 Beneficii

Eficiență ridicată: Folosind tehnologia avansată IGBT, modulul obține o scădere scăzută a tensiunii la stat, ceea ce duce la reducerea pierderilor de conducere și la o eficiență generală îmbunătățită.

Performanță termică robustă: Proiectat pentru o bună stabilitate termică, FF200R06KE3 poate funcționa eficient în condiții de temperatură ridicată, asigurând performanțe și longevitate constante.

Ușurința de utilizare: Modulul are un design de montare cu șuruburi, facilitând instalarea simplă și sigură în diferite sisteme.​

Proiectare compactă: Cu o lungime de 106,4 mm, FF200R06KE3 oferă un factor de formă compactă, permițând utilizarea eficientă a spațiului în cadrul echipamentelor și sistemelor.​

Producător

Infineon Technologies AG, cu sediul central în Nebiberg, Germania, este un producător de semiconductor global.Înființată în 1999 ca un spin-off de la Siemens AG, Infineon a devenit una dintre cele mai bune zece companii de semiconductori din lume.Compania angajează aproximativ 58.000 de persoane și a raportat vânzări de aproximativ 15 miliarde de euro în 2024.

FF200R06KE3 vs. FF200R12KE3 Comparație

Parametru	FF200R06KE3	FF200R12KE3
Tensiune colector-emițător (vCES)	600 v	1200 v
Curent de colecție continuă (iC.)	200 a	200 a
Tip de pachet	62 mm	62 mm
Tehnologia IGBT	TrenchStop ™ IGBT3	TrenchStop ™ IGBT3
Tehnologia diodelor	Emițător controlat 3 diode	Emitter a controlat dioda de înaltă eficiență
Temperatura de joncțiune de funcționare (Tvj op)	Până la 150 ° C.	Până la 125 ° C.
Tensiune de saturație a colectorului-emițător (VCesat)	1,9 V la VGe = 15 V, IC = 200 A	2.0 V la VGe = 15 V, IC = 200 A
Capacitate de intrare (CIES)	13.0 nf	14.0 nf
Capacitate de transfer invers (CRES)	0,5 nf	0,5 nf
Încărcare a porții (QG)	1,9 µc	1,9 µc
Rezistența internă a porții (rgint)	3,8 Ω	3,8 Ω
Timp de întârziere de pornire (Tdon))	0,25 µs	0,25 µs
Timp de creștere (TR)	0,09 µs	0,09 µs
Timp de întârziere de oprire (TD (OFF))	0,55 µs	0,55 µs
Timp de toamnă (TF)	0,13 µs	0,13 µs
Disiparea totală a puterii (PTOT)	680 w	1050 w
Tensiunea de testare a izolației (VIzol)	2500 v	2500 v
Greutate	340 g	340 g
Stil de montare	Muntele cu șurub	Muntele cu șurub
Certificare	UL1557 E83336	UL1557 E83336
Respectarea ROHS	Da	Da

Concluzie

În rezumat, modulul FF200R06KE3 de la Infineon Technologies demonstrează inovația în gestionarea puterii.Este conceput pentru a sprijini o gamă largă de aplicații solicitante, cu eficiență ridicată și performanțe robuste.Acest articol arată de ce FF200R06KE3 este o alegere fiabilă pentru oricine are nevoie de soluții de energie avansată, ceea ce îl face un instrument valoros în setările industriale moderne.

Fișă de date pdf

FF200R06KE3 fișa tehnică:

FF200R06KE3.PDF
FF200R06KE3 DETALII PDF
FF200R06KE3 PDF - DE.PDF
FF200R06KE3 PDF - FR.PDF
FF200R06KE3 PDF - ES.PDF
FF200R06KE3 PDF - IT.PDF
FF200R06KE3 PDF - KR.PDF